(19)中华 人民共和国 国家知识产权局 (12)发明 专利申请 (10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请 号 202111676439.2 (22)申请日 2021.12.31 (71)申请人 深圳天狼芯 半导体有限公司 地址 518000 广东省深圳市福田区车公庙 金润大厦18E (72)发明人 曾健忠　 (74)专利代理 机构 深圳中一联合知识产权代理 有限公司 4 4414 代理人 阳方玉 (51)Int.Cl. G06F 30/20(2020.01) G06N 3/04(2006.01) (54)发明名称 基于SPICE模型的仿真方法、 仿真系统 (57)摘要 本发明属于半导体仿真技术领域， 主要提供 了一种基于SPICE模型的仿真方法、 仿真系统， 建 立仿真器件的器件架构， 并且模拟其电性曲线； 对仿真器件的晶圆允收测试的参数进行定义， 并 根据电性曲线对仿真器件进行电学测试得到第 一电性参数； 通过仿真得到晶圆允收测试的电学 仿真数据， 并将电学仿真数据与第一电性参数进 行比较， 得到LDE输入参数与晶圆允收测试的电 性变化参数； 基于LDE输入参数和电性变化参数 进行类神经网络训练， 得到类神经网络加权参数 和类神经网络架构； 将得到的类神经网络加权参 数与类神经网络架构写入模型卡， 从而基于 SPICE模型的模型卡实现对器件的仿真， 可以避 免目前的LDE仿真需要用户将函数写入模型卡， 导致测试工作量较大的问题。 权利要求书2页 说明书7页 附图6页 CN 114417581 A 2022.04.29 CN 114417581 A 1.一种基于S PICE模型的仿真方法， 其特 征在于， 所述仿真方法包括： 建立仿真器件的器件架构， 并且 模拟其电性曲线； 对所述仿真器件的晶圆允收测试的参数进行定义， 并根据 所述电性曲线对所述仿真器 件进行电学测试 得到第一电性 参数； 通过仿真得到晶圆允收测试的电学仿真数据， 并将所述电学仿真数据与所述第 一电性 参数进行比较， 得到LDE 输入参数与所述晶圆允收测试的电性变化 参数； 基于所述LDE输入参数和所述电性变化参数进行类神经网络训练， 得到类神经网络加 权参数和类神经网络架构； 将得到的类神经网络加权参数与类神经网络架构写入 模型卡。 2.如权利要求1所述的仿真方法， 其特征在于， 所述基于LDE输入参数和所述电性变化 参数进行类神经网络训练， 包括： 将LDE输入参数当作所述类神经网络训练的输入数据； 将晶圆允收测试的电性变化 参数作为所述类神经网络训练的输出 数据。 3.如权利要求2所述的仿真方法， 其特征在于， 所述LDE输入参数包括源漏区尺寸参数， 所述第一电性 参数包括阈值电压、 导 通电流、 漏电流； 所述晶圆允 收测试的电性变化参数为 △VT/△Ion，△VT为阈值电压变化量， △Ion为导 通电流变化 量。 4.如权利要求1所述的仿真方法， 其特征在于， 所述对所述仿真器件的晶圆允收测试的 参数进行定义， 并根据所述电性 曲线对所述仿真器件进行电学测试得到第一电性参数， 包 括： 采用TCAD仿真软件基于定义的晶圆允收测试仿真得到器件的IV曲线， 并对所述仿真器 件进行电学测试 得到第一电性 参数。 5.如权利要求1所述的仿真方法， 其特 征在于， 所述电性曲线包括 IV曲线、 CV曲线。 6.如权利要求5所述的仿真方法， 其特 征在于， 所述建立仿真器件的器件架构， 包括： 采用TCAD仿真软件建立所述仿真器件的器件架构， 并模拟其 IV曲线和CV曲线。 7.一种基于S PICE模型的仿真系统， 其特 征在于， 所述仿真系统包括： 模型建立模块， 用于建立仿真器件的器件架构， 并且 模拟其电性曲线； 测试仿真模块， 用于对所述仿真器件的晶圆允收测试的参数进行定义， 并根据所述电 性曲线对所述仿真器件进行电学测试 得到第一电性 参数； 测试比较模块， 用于通过仿真得到晶圆允收测试的 电学仿真数据， 并将所述电学仿真 数据与所述第一电性参数进行比较， 得到LDE输入参数与所述晶圆允收测试 的电性变化参 数； 训练模块， 用于基于所述LDE输入参数和所述电性变化参数进行类神经网络训练， 得到 类神经网络加权参数和类神经网络架构； 模型导入 模块， 用于将得到的类神经网络加权参数与类神经网络架构写入 模型卡。 8.如权利要求7 所述的仿真系统， 其特 征在于， 所述训练模块具体用于： 将LDE输入参数当作所述类神经网络训练的输入数据； 将晶圆允收测试的电性变化 参数作为所述类神经网络训练的输出 数据。 9.如权利要求7所述的仿真系统， 其特征在于， 所述LDE输入参数包括源漏区尺寸参数，权　利　要　求　书 1/2 页 2 CN 114417581 A 2所述第一电性 参数包括阈值电压、 导 通电流、 漏电流； 所述晶圆允 收测试的电性变化参数为 △VT/△Ion，△VT为阈值电压变化量， △Ion为导 通电流变化 量。 10.如权利要求1所述的仿真方法， 其特 征在于， 所述测试仿真模块具体用于： 采用TCAD仿真软件基于定义的晶圆允收测试仿真得到器件的IV曲线， 并对所述仿真器 件进行电学测试 得到第一电性 参数。权　利　要　求　书 2/2 页 3 CN 114417581 A 3