(19)国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告 号 (45)授权公告日 (21)申请 号 202221789932.5 (22)申请日 2022.07.11 (73)专利权人 苏州诺姆自动化科技有限公司 地址 215334 江苏省苏州市昆山 开发区郭 石路809号5号厂房 (72)发明人 许贵明　 (74)专利代理 机构 南京常青藤知识产权代理有 限公司 32 286 专利代理师 金迪 (51)Int.Cl. B08B 3/12(2006.01) B08B 3/02(2006.01) B08B 3/04(2006.01) B08B 13/00(2006.01) (54)实用新型名称 一种半导体 硅片清洗结构 (57)摘要 本实用新型提供一种半导体硅片清洗结构， 清洗机座上安装有超声波发生器； 清洗部件安装 在清洗机座上， 所述清洗部件包括上料区、 清胶 区和沥水区； 清胶区包括一次加热区、 二次加热 区、 喷淋区和溢流区， 所述一次加热区、 二次加热 区、 喷淋区内安装有换能盒振动体， 喷淋区和溢 流区内的换能盒振动体上安装有托架， 所述托架 上承载有清洗架， 清洗架用于承载待清洗的硅 片， 机械臂组件， 其安装在 清洗机座上， 所述机械 臂组件位于清洗 部件上方， 操作方便， 安全性高。 权利要求书1页 说明书4页 附图4页 CN 217700423 U 2022.11.01 CN 217700423 U 1.一种半导体硅片清洗结构， 其特 征在于， 包括： 清洗机座， 其上安装有超声 波发生器； 清洗部件， 其安装在清洗 机座上， 所述清洗 部件包括上料区、 清胶区和沥水区； 清胶区， 其包括一次加热区、 二 次加热区、 喷淋区和溢流区， 所述一次加热区、 二次加热 区、 喷淋区内安装有 换能盒振动体， 喷淋区和溢流区内的换能盒振动体上安装有托架， 所述 托架上承载有清洗架， 清洗架用于承载待清洗的硅片； 机械臂组件， 其 安装在清洗 机座上， 所述机 械臂组件位于清洗 部件上方。 2.根据权利要求1所述的半导体硅片清洗结构， 其特征在于， 所述上料区包括上料座， 上料座通过上料围板安装在清洗机座上， 所述上料座为U型板件， 上料座内对称设有上料 链， 清洗架位于上 料链上。 3.根据权利要求1所述的半导体硅片清洗结构， 其特征在于， 所述清洗机座上对称设有 用于上下料 的通孔， 所述通孔的位置分别与上料区和沥水区位置对应， 清洗机座前端安装 有推拉门、 下门板和触屏面板， 触屏面板上设有 多个用于控制不同工位的启停的控制按 钮。 4.根据权利要求1所述的半导体硅片清洗结构， 其特征在于， 所述一 次加热区的槽体 内 设有加热管， 所述加热管位于换能盒振动体两侧， 一次加热区内的换能盒振动体前端安装 有压力传感器。 5.根据权利要求1所述的半导体硅片清洗结构， 其特征在于， 所述二 次加热区的结构与 一次加热区的机构相同。 6.根据权利要求1所述的半导体硅片清洗结构， 其特征在于， 所述溢流区包括第一槽 体、 第二槽体和第三槽体， 所述第一槽体内结构与喷淋区的结构相同， 第二槽体内安装有缓 冲板， 托架位于缓冲板上， 第三槽体的结构与第二槽体的结构相同。 7.根据权利要求1所述的半导体硅片清洗结构， 其特征在于， 所述二次加热区、 喷淋区 和溢流区通过后背板安装在清洗机座上， 二次加热区、 喷淋区和溢流区三面通过板件围成 框架， 且框架 底部安装有底板， 所述喷淋区处的底板中心带有孔。 8.根据权利要求1所述的半导体硅片清洗结构， 其特征在于， 所述沥水区包括安装在清 洗机座上的沥水网板， 清洗架位于沥水网板上， 待硅片上的水沥干 。 9.根据权利要求1所述的半导体硅片清洗结构， 其特征在于， 所述清洗部件和清洗机座 之间安装有接水板 。权　利　要　求　书 1/1 页 2 CN 217700423 U 2一种半导体硅片清洗结构 技术领域 [0001]本实用新型属于半导体硅片清洗技 术领域， 具体涉及一种半导体硅片清洗结构。 背景技术 [0002]半导体器件用超声波清洗机通过换能器， 将频率超声频源的声能转换成机械振 动， 通过清洗槽壁将超声波辐射到槽子中的清洗液， 由于受到超声波的辐射， 使槽内液体中 的微气泡能够在声波的作用下从而保持振动， 破坏污物与清洗件表面的吸 附， 引起污物层 的疲劳破坏而被剥离， 气体型气泡的振动对固体表面进行擦拭， 由于硅片清洗时涉及到强 酸强碱对于人工有伤害， 使用全自动设备， 设备部件采用耐腐蚀材料， 保护人工同时实现清 洗去胶功能， 现有的硅片清洗结构中， 通常仅设有一个槽体， 通过更换内部液体达到清洗的 功能， 此时会有少量带有腐蚀性的液体残留， 通过液体更替的方式效率低， 且清洗效果不 佳， 液体循环利用率 不高。 实用新型内容 [0003]本实用新型的目的是， 为了解决现有技术存在的问题， 本实用新型提供一种半导 体硅片清洗结构。 [0004]本实用新型提供了如下的技 术方案： [0005]一种半导体硅片清洗结构， 包括： [0006]清洗机座， 其上安装有超声 波发生器； [0007]清洗部件， 其安装在清洗 机座上， 所述清洗 部件包括上料区、 清胶区和沥水区； [0008]清胶区， 其包括一次加热区、 二次加热区、 喷淋区和溢流区， 所述一次加热区、 二次 加热区、 喷淋区内安装有 换能盒振动体， 喷淋区和溢流区内的换能盒振动体上安装有托架， 所述托架上承载有清洗架， 清洗架用于承载待清洗的硅片； [0009]机械臂组件， 其 安装在清洗 机座上， 所述机 械臂组件位于清洗 部件上方。 [0010]进一步地， 所述上料区包括上料座， 上料座通过上料围板安装在清洗机座上， 所述 上料座为U型板件， 上 料座内对称设有上 料链， 清洗架位于上 料链上。 [0011]进一步地， 所述清洗机座上对称设有用于上下料的通孔， 所述通孔的位置分别与 上料区和沥水区位置对应， 清洗机座前端安装有推拉门、 下门板和触屏面板， 触屏面板上设 有多个用于控制不同工位的启停的控制按 钮。 [0012]进一步地， 所述一次加热区的槽体内设有加热管， 所述加热管位于换能盒振动体 两侧， 一次加热区内的换能盒振动体前端安装有压力传感器。 [0013]进一步地， 所述二次加热区的结构与一次加热区的机构相同。 [0014]进一步地， 所述溢流区包括第一槽体、 第二槽体和第三槽体， 所述第一槽体内结构 与喷淋区的结构相同， 第二槽体内安装有缓冲板， 托架位于缓冲板上， 第三槽体的结构与第 二槽体的结构相同。 [0015]进一步地， 所述二次加热区、 喷淋区和溢流区通过后背板安装在清洗机座上， 二次说　明　书 1/4 页 3 CN 217700423 U 3