ICS 31.080 L 40/49 团体 标准 T/CASAS 016—2022 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET ）结壳热阻瞬态双界面测试方法 Transient dual test method for the measurement of the thermal resistance junction to case of silicon carbide metal-oxide- semiconductor field -effect-transistor （SiC MOSFET ） 版本：V01.00 2022-07-18发布 2022-07-18实施 第三代半导体产业技术创新战略联盟 发布 全国团体标准信息平台 T/CASAS 016 —2022 I 目 次 前言 ................................ ................................ ................................ ................................ ................................ ....... I 引言 ................................ ................................ ................................ ................................ ................................ ...... II 1 范围 ................................ ................................ ................................ ................................ ................................ ...1 2 规范性引用文件 ................................ ................................ ................................ ................................ ............... 1 3 术语和定义 ................................ ................................ ................................ ................................ ....................... 1 4 仪器设备 ................................ ................................ ................................ ................................ ........................... 2 5 一般要求 ................................ ................................ ................................ ................................ ........................... 2 5.1 检测环境要求 ................................ ................................ ................................ ................................ .......... 2 5.2 检测人员要求 ................................ ................................ ................................ ................................ .......... 2 6 测试步骤 ................................ ................................ ................................ ................................ ........................... 3 6.1 测试原理 ................................ ................................ ................................ ................................ .................. 3 6.2 偏置电压测试 ................................ ................................ ................................ ................................ .......... 3 6.3 K线测试与标定 ................................ ................................ ................................ ................................ ........ 3 6.4 结壳热阻测试 ................................ ................................ ................................ ................................ .......... 4 6.5 测试数据处理 ................................ ................................ ................................ ................................ .......... 5 7 热阻结果确定 ................................ ................................ ................................ ................................ ................... 6 参考文献 ................................ ................................ ................................ ................................ ............................... 7 全国团体标准信息平台 T/CASAS 016 —2022 I 前 言 本文件按照 GB/T1.1—2020《标准化工作导则 第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定 起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别 专利的责任。 本文件由 第三代半导体产业技术创新战略联盟 （CASA）制定发布，版权归 CASA所有，未经 CASA许 可不得随意复制；其他机构采用本文件的技术内容制定标准需经 CASA允许；任何单位或个人引用本文 件的内容需指明本文件的标准号。 本文件起草单位：工业和信息化部电子第五研究所、中国电子科技集团第五十五研究所、南方电网 科学研究院有限责任公司、国网智能电网研究院有限公司、西安交通大学、东南大学、山东大学、南京 航空航天大学、 深圳基本半导体有限公司 、东莞南方半导体科技有限公司 、北京第三代半导体产业技术 创新战略联盟 。 本文件起草人：付志伟、侯波、周斌、陈思、杨晓锋、陈义强、陈媛、来萍、黄云、路国光、刘奥、 郭怀新、李巍巍、李金元、李尧圣、王来利、刘斯扬、杨家跃、崔益军、 唐宏浩、乔良、 徐瑞鹏。 全国团体标准信息平台 T/CASAS 016 —2022 II 引 言 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（ SiC MOSFET ）因具有禁带宽度宽、临界击穿电场强、耐高 温性能好等优点，逐渐在雷达探测、医疗通讯、交通运输以及新能源等领域广泛应用。结壳热阻作为表 征热量在导热路径传输能力的重要 参数，是直接反映器件热性能的关键技术指标之一，可以为器件的热 设计与优化改进提供参考。因而，准确的热阻测试对于 SiC MOSFET 的鉴定、评价及其应用具有重要意 义。 全国团体标准信息平台 T/CASAS 016 —2022 1 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（ S