ICS29.045 H80/84 团体标准 T/IAWBS008-2019 SiC晶片的残余应力检测方法 ExperimentalmethodforresidualstressinSiCwafers 2019-12-27发布 中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟发布 2019-12-31实施 全国团体标准信息平台 全国团体标准信息平台 T/IAWBS008—2019 I目次 前  言............................................................................................................................................II 1范围.................................................................................................................................................1 2规范性引用文件.............................................................................................................................1 3术语和定义.....................................................................................................................................1 3.1残余应力..............................................................................................................................1 3.2应力双折射现象..................................................................................................................1 3.3起偏镜和分析镜..................................................................................................................1 3.4平面应力状态......................................................................................................................1 3.5相位差..................................................................................................................................2 4测试原理.........................................................................................................................................2 5测试仪器.........................................................................................................................................3 6干扰因素.........................................................................................................................................4 7测试环境.........................................................................................................................................4 8试样.................................................................................................................................................4 9测试程序.........................................................................................................................................4 10计算...............................................................................................................................................5 11精密度...........................................................................................................................................5 12测试报告.......................................................................................................................................5 附录A.........................................................................................................................................7 全国团体标准信息平台 T/IAWBS008—2019 II前  言 本标准按照GB/T1.1-2009给出的规则起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利，本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任； 本标准由中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟归口管理。 本标准起草单位：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、北京聚睿众邦科技有限公司、 北京航空航天大学、北京三平泰克科技有限责任公司。 本标准主要起草人：苏飞、闫方亮、陆敏、郑红军、陈鹏、林雪如、刘祎晨、韩超。 全国团体标准信息平台 T/IAWBS008—2019 1SiC晶片的残余应力检测方法 1范围 本标准规定了SiC晶片内部残余应力的光学无损检测方法。 本标准适用于晶片厚度适当，对波长400-700nm的可见光范围内测试光的透过率在30% 以上的SiC晶片。 2规范性引用文件 下列文件对于本标准的应用是必不可少的，凡是注日期引用文件，仅注日期的版本适用 于本标准。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本标准。 GB/T14264半导体材料术语 3术语和定义 GB/T14264界定的以及下列术语适用于本标准 3.1残余应力 消除外力或不均匀的温度场等作用后仍留在晶片内的自相平衡的内应力。 3.2应力双折射现象 又称光弹性效应。某些介质在应力的作用下，其对光的折射特性会发生改变，出现本征 折射率以外的另一种折射率，此时若有一束光入射，会出现两束以不同速率传播的出射光， 从而显示出光学上的各向异性。 3.3起偏镜和分析镜 在本标准中，两者都是线偏振片。线偏振片(polarizer)是指可以使自然光（各个方向的 偏振光都存在的合成光）变成线偏振光（偏振方向为某一个特定方向的光）的光学元件，对 入射光具有遮蔽和透过的功能。其中把靠近光源的线偏振片成为起偏镜，而沿着光路最后 摆放的线偏振片称为分析镜。 3.4平面应力状态 是指试件内部各点沿试件平面法向的应力分量为零的应力状态，也即试件内的残余应力 仅分布在试件面内。 全国团体标准信息平台 T/IAWBS008—2019 23.5相位差 一束偏振光进入具有应力双折射的试件内部后分成传播速率不同的两束线偏振光，通过 厚度一定的试件后，这两束光的电场矢量振动不再同步，所呈现出的相位上的差距。 4测试原理 本标准采用光弹性原理测试SiC晶片内部的残余应力，光路如图1所示。 图1SiC晶片残余应力的光弹性方法光路图示意图 该光路中包括光源、起偏镜P和检偏镜A、两块1/4波片、待测的SiC晶片以及记录图像 的CCD相机。一般认为待测试件处于平面应力状态，任意一点（x，y）处的第一主应力记 为1，第二主应力记为2，第一主应力的方向