ICS 31.200 L55 GB 中华人民共和国国家标准 GB/T 28276—2012 硅基MEMS制造技术 体硅溶片工艺规范 Silicon-based MEMS fabrication technology- Specification for dissolved wafer process 2012-05-11发布 2012-12-01实施 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 发布 中国国家标准化管理委员会 GB/T28276—2012 目 次 前言 范围 1 规范性引用文件 2 3术语和定义 工艺流程 4 4. 1 体硅溶片工艺流程 4.2硅片加工工艺流程 4.3 玻璃片加工工艺流程 4.4 硅-玻璃键合片工艺流程 工艺加工能力 5 工艺保障条件要求 6. 1 人员要求 6.2环境要求 6.3 设备要求 原材料要求 安全操作要求 8 8. 1 用电安全 8.2 化学试剂 8.3排废 工艺检验 9 9.1总则 9.2关键工序检验 9.3 最终检验 附录A（资料性附录） 体硅溶片关键工序检验方法 GB/T 28276—2012 前言 本标准按照GB/T1.1一2009给出的规则起草。 本标准由全国微机电技术标准化技术委员会（SAC/TC336）提出并归口。 本标准起草单位：中国电子科技集团第十三研究所、中机生产力促进中心、北京大学、中国科学院上 海微系统与信息技术研究所。 本标准主要起草人：崔波、罗蓉、刘伟、张大成、熊斌、陈海蓉。 I GB/T28276—2012 硅基MEMS制造技术 体硅溶片工艺规范 1范围 本标准规定了采用体硅溶片加工工艺进行MEMS器件加工时应遵循的工艺要求和工艺评价规范 本标准适用于体硅溶片工艺的加工和质量检验。 2规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB50073—2001洁净厂房设计规范 GB/T19022一2003测量管理体系测量过程和测量设备的要求 GB/T26111一2010微机电系统（MEMS)技术术语 3术语和定义 3. 1 微机电系统 micro-electromechanicalsystem;MEMS 关键（部件）特征尺寸在亚微米至亚毫米之间，能独立完成机光电等功能的系统。 注1：微机电系统一般包括微型机构、微传感器、微执行器、信号处理和控制、通讯接口电路以及能源等部分。 注2：微机电系统通常需要多学科领域技术的综合应用，例如机、电、光、生物等多种领域。 注3：MEMS主要在美国使用，微系统主要在欧洲使用，微机械主要在日本使用。 [GB/T 26111—2010,定义3.1.1] 3.2 bulk micromachining 体微加工工艺 通过选择性去除部分基底材料实现微结构的微机械加工方法。 注：体微机械工艺式通过化学方法刻蚀去除基底不需要部分的加工方法。通过使用SiO2或SiN掩膜可以保护表 面不被刻蚀。硼参杂层也可以停止表面层以下部分的刻蚀。 [GB/T 26111—2010,定义3.5.16] 3.3 体硅溶片工艺 dissolved wafer process 利用硼重掺杂硅在各向异性腐蚀剂中的自停止腐蚀效应实现MEMS结构的硅基加工技术 注：体硅溶片工艺采用玻璃做支撑材料，利用干法刻蚀技术在经过硼重掺杂的硅片上形成MEMS结构，利用阳极 3.4 自停止腐蚀 etchstop 利用腐蚀剂对不同材料的腐蚀速度差异使得腐蚀停止在特定材料层上。 1